TSUNENOBU KIMOTO ET LA TECHNOLOGIE DU CARBURE DE SILICIUM

Tsunenobu Kimoto, professeur de science électronique et d’ingénierie à l’Université de Kyoto, a littéralement écrit le livre sur la technologie du carbure de silicium. Publié en 2014, "Les fondamentaux de la technologie du carbure de silicium" couvre les propriétés des matériaux SiC, la technologie de traitement, la théorie et l’analyse des dispositifs pratiques.

Kimoto, dont les recherches sur le carbure de silicium ont conduit à de meilleures techniques de fabrication, une amélioration de la qualité des tranches et une réduction de leurs défauts. Ses innovations, qui ont rendu les dispositifs semi-conducteurs en carbure de silicium plus efficaces et plus fiables, ont eu un impact significatif sur la technologie moderne.

TSUNENOBU KIMOTO ET LA TECHNOLOGIE DU CARBURE DE SILICIUM

Améliorer l’efficacité énergétique des véhicules électriques grâce au carbure de silicium.

Des décennies avant qu’une Tesla Model 3 ne sorte de la chaîne de montage avec un onduleur en SiC, un petit groupe de chercheurs, dont Kimoto, prévoyait les promesses de la technologie du carbure de silicium. Aujourd’hui, les transistors MOSFET et autres transistors en carbure de silicium réduisent considérablement les pertes en état allumé et les pertes de commutation dans les systèmes de conversion de puissance.

Mais ces outils n’ont pas surgi par magie. Kimoto a dû développer des techniques de base telles que le dopage du matériau pour produire des cristaux semi-conducteurs de type n et p. Le SiC a un potentiel énorme pour les dispositifs de puissance, mais des défis subsistent, notamment des défauts à l’interface dioxyde de silicium-SiC qui affectent les performances des transistors MOS.

TSUNENOBU KIMOTO ET LE DÉVELOPPEMENT DE LA COMMUNAUTÉ DU CARBURE DE SILICIUM À L’IEEE

Kimoto s’est joint à l’IEEE à la fin des années 1990. En tant que bénévole actif, il a contribué à développer la communauté mondiale du carbure de silicium. Il est rédacteur en chef de "IEEE Transactions on Electron Devices" et a siégé aux comités de programme de conférences telles que l’International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs.

Maintenant, lors des conférences sur le carbure de silicium, plus de 1 000 personnes se rassemblent. Les membres de l’IEEE accordent davantage d’attention à ce domaine, comme en témoignent les sessions bien fréquentées consacrées aux dispositifs de puissance en carbure de silicium lors de conférences telles que l’International Electron Devices Meeting.

Ces avancées technologiques et ces contributions de Kimoto ont été essentielles pour faire du carbure de silicium une partie indispensable de la vie moderne.